美光放弃4F² DRAM技术，转向6F²与3D DRAM
美光近日宣布将不再将4F² DRAM纳入未来产品规划，这一决定由公司CTO作出，标志着经过二十年研究的技术将被淘汰。4F² DRAM曾被视为数码存储领域的重大突破，其理论上占用面积比传统的6F²设计减少约33%，可以增加存储单元的密度。然而，美光总裁兼首席技术与产品官斯科特·德博尔指出，尽管4F²在理论上有优势，但实际的DRAM位密度更多地受制于电容的间隔和尺寸，而非仅仅是晶体管的面积。
德博尔强调，设计并缩小晶体管不一定能同时缩小整体存储单元的尺寸，因为电容的设计同样会影响密度。此外，4F²技术的引入将增加生产步骤和复杂性，导致成本上升而收益有限。他形容围绕6F²与4F²的讨论如同“烟雾弹”，暗示四周的热议没有实质性意义。
与之不同的是，竞争对手三星和SK海力士仍然在其发展路线中保留了4F²单元。美光的这一转变意味着它在技术道路上与其他主要厂商走出了不同的方向。过去，美光曾推迟采用EUV光刻技术，如今再度采取不同于竞争者的策略。德博尔承认4F²在技术上是可行的，但指出其在后续技术发展中无法持续微缩，未来将由3D DRAM取而代之。 新球体育比分网即时比分
美光决定继续使用传统的6F² DRAM技术，并通过降低电容间隔和技术进步来提升位密度。公司计划在2027年下半年量产新一代1δ制程，预计将实现超过20%的位密度提升。美光的长远目标是开发3D DRAM技术，通过垂直堆叠存储单元来提高密度，而不是仅依靠横向缩小。德博尔表示，待3D DRAM在密度、复杂度和成本之间达到平衡后，美光将会转向这一新技术。
在6F²延伸与3D DRAM的发展中，美光与络绎不绝的三星及SK海力士在技术路径上展现了不同的理念，未来的成本效益将由量产结果证明。
